Si^+相关论文
研究了 Si~+和 S~+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930~960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡......
用四探针法,扩展电阻法,背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Si^+/B^+双注入单晶硅的快速热退火行为。......